Toplotno provodljivi materijali od silicijum karbida

Toplotna provodljivost SiC materijala, kao i većine dielektričnih čvrstih tijela, prvenstveno ovisi o prijenosu termoelastičnih valova (zvanih fononi). Koeficijent toplotne provodljivosti SiC materijala uglavnom zavisi od: 1) količine akceleratora sinterovanja, hemijskog odnosa, hemijskih svojstava i odgovarajuće debljine kristalne granice; 2) veličina zrna; 3) Vrsta i koncentracija atoma nečistoća u kristalu SiC; 4) atmosfera sinterovanja; 5) Toplinska obrada nakon sinterovanja, itd. SiC ima visoku toplotnu provodljivost, veliki razmak, visoku brzinu migracije zasićenja elektrona i visoko odlično svojstvo električnog polja kritičnog sloma, njegove odlične svestrane performanse kompenzuju nedostatke tradicionalnih poluprovodničkih materijala i uređaja u praktičnim primenama, u električnim vozilima, čipovima za mobilne komunikacije i drugim poljima ima širok spektar primena. Sa većom pouzdanošću, višom radnom temperaturom, manjom veličinom i većim kapacitetom nosivosti, SiC se može primijeniti na uređaje za napajanje kao što su glavna pogonska ploča, motor za punjenje automobila i energetski modul, što može značajno poboljšati efikasnost i produžiti trajnost električnih vozila. U isto vrijeme, SiC ima dobru toplinsku provodljivost, a korištenje SiC poluvodičkih uređaja za napajanje može smanjiti veličinu baterije i efikasnije pretvoriti energiju, čime se smanjuje trošak cjelokupnog uređaja. SiC keramika, kao strukturalni keramički materijal visokih performansi, ima izvrsna termička svojstva i može se široko koristiti u industriji visokih temperatura, topline i prijenosa topline.